介电层

在TFT中,栅极介电层或栅极绝缘层是将栅电极与半导体隔绝开来的薄膜层。为达到元件的优异开关性能,栅极介电层必须满足严格规格要求,其中包括良好的薄膜质量和完美的绝缘性能等。

在普通显示器中,PECVD氮化硅(或氧化硅)被用作栅极介电层。这种材料满足了必需的规格要求,但沉积工艺复杂,必须在昂贵的真空条件下实现。

赢创开发出了以iXsenic D为品牌名的一系列液态加工的栅极介电层,沉积无需真空条件,可使用诸如旋涂和狭缝式涂布等简单技术完成。这些工艺简化了流程,有助于节省时间,降低成本。

我们的介电层绝缘产品的特点是加工性能良好,尤其是狭缝式大面积涂布,而且可实现厚度为50-500 nm的薄膜,均匀性高,表面粗糙度低(Rq<2 nm)。介电层以漏电电流低、击穿电压高和偏压测试的高稳定性著称。