蚀刻阻挡材料

时下,大部分用于智能手机的高解析度显示屏使用的是高成本的LTPS技术。即便最新的IGZO溅射技术也无法把成本降低到足够可与a-Si技术竞争的水平。平板显示器制造商所期待的是将IGZO技术的成本降至可与非晶硅相竞争的水平。目前的工艺要求一个额外的蚀刻阻挡层(ESL),这就要求至少增加一个光罩,以及新规格的PECVD设备。通常ESL为PECVD氧化硅或氮化硅;但是由于PECVD层中的氢浓度较高,因此元件稳定性和寿命大幅下降。

赢创提供以iXsenic ES为名的独特的电子级蚀刻阻挡材料,可曝光成像图案化,并且不含氢,适用于溅射和液态加工金属氧化物半导体。赢创的混合聚合物在高度耐化学腐蚀、高均一性和高透明度等方面具备明显优势,可方便地直接应用于生产线,无需额外投资购买新PECVD设备。

我们的液态加工金属氧化物油墨iXsenic S和我们的可曝光成像液态加工蚀刻阻挡层结合使用,可以同时降低投资成本和生产成本。