金属氧化物


金属氧化物薄膜加工的新技术


为了突破新型高端LCD和OLED显示器的界限,需要新的半导体技术。当前的解决方案,如非晶硅(a-Si)和低温多晶硅(LTPS),分别在性能和尺寸方面受到限制。

当前,金属氧化物是克服上述挑战最具前景的材料之一,因为它们具备几个重要优点:

  • 对于高解析度平板显示器,迁移率需要>10 cm2/Vs。只有金属氧化物才能在> Gen 6的基板上实现这一要求,从而提供半导体的通用性。

  • 与硅半导体的TFT 相比,金属氧化物在关断电流中显示出优异的性能,因而具有两大优势:首先,低断路电流对手机意味着低能耗,具体而言就是更长的待机时间。其次,低断路电流泄漏缩短了面板驱动时间,因此降低了TFT对触摸传感器的影响。这一特点促进了触摸屏与显示器的整合。

  • 采用金属氧化物半导体制成的TFT的尺寸小于a-Si,因此具有高孔径比。这样可以减小背光强度,降低功耗。

  • 金属氧化物TFT用于低温加工的潜力已经得到了证明,低温加工是柔性显示器所必需的。考虑到高端应用和新应用,金属氧化物TFT将有望在不远的将来成为最流行的高端显示技术。

 

多年来,赢创一直专注于金属氧化物半导体,并根据客户的需求和具体情况进行优化和调整。赢创开发出的涂布技术可以将金属氧化物材料涂布在基板上,该技术可以媲美溅射或化学气相沉积(CVD)等成熟技术(参见“涂层”一节)。iXsenic由此成为性价比方面最有效的解决方案。

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